深圳市奥诗达电子有限公司

250V/400V 随机相位 6 引脚光电三端双向可控硅光耦合器
特征
高隔离 5000 VRMS
峰值击穿电压 250V – CT3010,3011,3012
400V – CT3020,3021,3022,3023
温度范围 - 55 °C 至 100 °C


CT3021(S)(T1)应用
电机控制
灯镇流器
静态交流电源开关
电磁阀/阀门控制


CT3021(S)(T1)描述
CT3010、CT3011、CT3012、CT3020、CT3021、CT3022 和 CT3023 由一个随机相位光电双向可控硅组成，
该三端双向可控硅光耦合到砷化镓红外发射二极管，采用 6 引脚 DIP 封装，具有不同的引脚成型选项。

CT3021(S)(T1) 封装尺寸图

Absolute Maximum Rating at 25℃ 
符号 参数 额定值 单位 注释
VISO 隔离电压 5000 VRMS
TOPR 工作温度 -55 ~ +100 ℃
TSTG 储存温度 -55 ~ +150 ℃
TSOL 焊接温度 260℃


发射器
IF 正向电流 60 mA
IF(TRANS) 峰值瞬态电流 (≤1μs P.W,300pps) 1 A
VR 反向电压 6 V
PD 功耗 100 mW
探测器
PD 功耗 300 mW
VDRM 断态输出端电压
CT3010,3011,3012 250V
CT3020,3021,3022,3023 400V
ITSM 峰值重复浪涌电流 1 A


电气特性 TA = 25°C（除非另有说明）发射器特性
符号参数 测试条件 Min Typ Max Units 注释
VF 正向电压 IF=10mA - - 1.5 V （MAX）
IR 反向电流 VR = 6V - - 5 μA （MAX）
CIN 输入电容 f= 1MHz - 45 - pF（类型）
探测器特性
符号参数 测试条件 Min Typ Max Units 注释
IDRM 峰值阻断电流 IF= 0mA, VDRM= 额定 VDRM - - 100 nA (MAX)
VTM 峰值导通电压 IF= 额定 IFT，ITM= 100mA - - 2.5 V(MAX)
dv/dt 关态电压的临界上升率 VPEAK= 额定 VDRM - 100 - V/μs
传输特性
符号参数 测试条件 Min Typ Max Units 注释
IFT 输入触发电流（端电压 = 3V）
CT3020 - - 30 mA
CT3010、CT3021 - - 15 mA
CT3011、CT3022 - - 10 mA
CT3012、CT3023 - - 5 mA
IH 保持电流 - 250 - μA（类型）
RIO 隔离电阻 VIO= 500VDC 1x10的11次方（MIN）
CIO 隔离电容 f= 1MHz - 0.25 - pF（类型）

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